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現在、SiCの切断加工にはレーザー加工が主流でありますが、

弊社ではダイヤモンドブレードを使用したダイシングマシンによる、SiCウエハーの切断加工に挑戦しています。

下写真の加工は、Φ101.6mm×厚み0.35mm⇒□20mmへの切断加工です。

　　　　　　　

加工前　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　加工後

　

　　　　　

　　　

　

　

　

　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　

加工後　拡大写真

　　　　

　これからパワー半導体モジュールの市場の成長が見込まれています。

お客様のご期待に応えられるよう、更なる品質改善に挑戦中です。

切断加工のご要望がございましたら、切断寸法、厚みなどご相談ください。